STQ1NK80ZR-AP
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| Número de pieza | STQ1NK80ZR-AP |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.112 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STQ1NK80ZR-AP | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 179016 pcs | Ficha de datos | STx1NK80ZR(R-AP,-1) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-92-3 | Serie | SuperMESH™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 16 Ohm @ 500mA, 10V | La disipación de energía (máximo) | 3W (Tc) |
| embalaje | Tape & Box (TB) | Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres | 497-6197-3 STQ1NK80ZRAP |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
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