STPSC8H065G-TR
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| Número de pieza | STPSC8H065G-TR |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.574 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STPSC8H065G-TR | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 60860 pcs | Ficha de datos | STPSC8H065 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.75V @ 8A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650V | Paquete del dispositivo | D²PAK |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | 497-13457-2 STPSC8H065GTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -40°C ~ 175°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Surface Mount D²PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 80µA @ 650V | Corriente - rectificada media (Io) | 8A |
| Capacitancia Vr, F | 414pF @ 0V, 1MHz | Número de pieza base | STPSC8H065 |
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