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STP80N6F6

STP80N6F6
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Número de pieza STP80N6F6
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 60V TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 86903 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
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Número de pieza STP80N6F6 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 60V TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 86903 pcs Ficha de datos STP80N6F6
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220 Serie Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs 5.8 mOhm @ 50A, 10V La disipación de energía (máximo) 120W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres 497-13976-5
STP80N6F6-ND		 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7480pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 122nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V Descripción detallada N-Channel 60V 110A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)

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