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STP6NM60N

STP6NM60N
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Número de pieza STP6NM60N
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 81952 pcs
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Número de pieza STP6NM60N Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 81952 pcs Ficha de datos STx6NM60N
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB Serie MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs 920 mOhm @ 2.3A, 10V La disipación de energía (máximo) 45W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres 497-7530-5
STP6NM60N-ND		 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 13nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V Descripción detallada N-Channel 600V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Tc)

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