STP5N80K5
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| Número de pieza | STP5N80K5 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.635 | $0.563 | $0.445 | $0.345 | $0.272 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STP5N80K5 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 74370 pcs | Ficha de datos | Power Mgmt Guide BrochureSTP5N80K5 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | Serie | MDmesh™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 60W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | 497-16933 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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