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STP42N60M2-EP

STP42N60M2-EP
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Número de pieza STP42N60M2-EP
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 14986 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza STP42N60M2-EP Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 14986 pcs Ficha de datos ST(B,P,W)42N60M2-EP
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220 Serie MDmesh™ M2-EP
RDS (Max) @Id, Vgs 87 mOhm @ 17A, 10V La disipación de energía (máximo) 250W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres 497-15893-5 Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 55nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V Descripción detallada N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)

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