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STP27N60M2-EP

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Número de pieza STP27N60M2-EP
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 28790 pcs
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Número de pieza STP27N60M2-EP Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 28790 pcs Ficha de datos ST(P,W)27N60M2-EP DatasheetSpice Model Tutorial for Power MOSFETS
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220 Serie MDmesh™ M2-EP
RDS (Max) @Id, Vgs 163 mOhm @ 10A, 10V La disipación de energía (máximo) 170W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres 497-16489-5 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V Descripción detallada N-Channel 600V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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