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STP22NM60N

STP22NM60N
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Número de pieza STP22NM60N
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 29828 pcs
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Número de pieza STP22NM60N Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 29828 pcs Ficha de datos STx22NM60N
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB Serie MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs 220 mOhm @ 8A, 10V La disipación de energía (máximo) 125W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres 497-10306-5 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 42 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 50V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 44nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 16A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)

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