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STP16N50M2

STP16N50M2
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Número de pieza STP16N50M2
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 59525 pcs
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Número de pieza STP16N50M2 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 59525 pcs Ficha de datos ST(D,F,P)16N50M2
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220 Serie MDmesh™ M2
RDS (Max) @Id, Vgs 280 mOhm @ 6.5A, 10V La disipación de energía (máximo) 110W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres 497-15274-5 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 42 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 19.5nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500V
Descripción detallada N-Channel 500V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)

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