STP15NM65N
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| Número de pieza | STP15NM65N |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.433 | $1.278 | $1.048 | $0.849 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STP15NM65N | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 43541 pcs | Ficha de datos | STF,FI,P15NM65N |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | Serie | MDmesh™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | 497-11871-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 983pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 33.3nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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