STP13N60M2
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| Número de pieza | STP13N60M2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.966 | $0.778 | $0.70 | $0.545 | $0.451 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STP13N60M2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 82802 pcs | Ficha de datos | STx13N60M2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | Serie | MDmesh™ II Plus |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | 497-13842-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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