STP11N65M2
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| Número de pieza | STP11N65M2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.382 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STP11N65M2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 98312 pcs | Ficha de datos | ST(D, P, U)11N65M2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | Serie | MDmesh™ II Plus |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 85W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | 497-15039-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
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