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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > STN3P6F6

STN3P6F6

STN3P6F6
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Número de pieza STN3P6F6
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET P-CH 60V SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 181298 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza STN3P6F6 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET P-CH 60V SOT-223 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 181298 pcs Ficha de datos STN3P6F6
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-223 Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs 160 mOhm @ 1.5A, 10V La disipación de energía (máximo) 2.6W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres 497-13537-2 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 48V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.4nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V Descripción detallada P-Channel 60V 2.6W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C -

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