STI6N80K5
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| Número de pieza | STI6N80K5 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.476 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STI6N80K5 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 73883 pcs | Ficha de datos | ST(B,D,I,P)6N80K5 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | 30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | Serie | SuperMESH5™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 85W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres | 497-15017-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 255pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I2PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
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