STH315N10F7-2
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| Número de pieza | STH315N10F7-2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.438 | $2.175 | $1.784 | $1.444 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STH315N10F7-2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 23978 pcs | Ficha de datos | STH315N10F7-2,STH315N10F7-6 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | H2Pak-2 | Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 60A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 315W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | 497-14718 497-14718-1 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12800pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
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