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STH180N4F6-2

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Número de pieza STH180N4F6-2
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 68786 pcs
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Número de pieza STH180N4F6-2 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 68786 pcs Ficha de datos
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo H2Pak-2 Serie STripFET™ F6
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4 mOhm @ 60A, 10V La disipación de energía (máximo) 190W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7735pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 130nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40V Descripción detallada N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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