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STGB15M65DF2

STGB15M65DF2
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Número de pieza STGB15M65DF2
Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 65421 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza STGB15M65DF2 Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 65421 pcs Ficha de datos STGB15M65DF2 Datasheet
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Condición de prueba 400V, 15A, 12 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 24ns/93ns Cambio de Energía 90µJ (on), 450µJ (off)
Paquete del dispositivo D2PAK Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 142ns Potencia - Max 136W
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres 497-16507-1 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 42 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard Tipo de IGBT Trench Field Stop
puerta de carga 45nC Descripción detallada IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Surface Mount D2PAK
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 60A Corriente - colector (Ic) (Max) 30A

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