STF33N60M2

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| Número de pieza | STF33N60M2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.223 | $1.786 | $1.627 | $1.318 | $1.111 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STF33N60M2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 27177 pcs | Ficha de datos | STx33N60M2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220FP | Serie | MDmesh™ II Plus |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 125 mOhm @ 13A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 35W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres | 497-14217-5 STF33N60M2-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1781pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 45.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 26A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
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- Parte#:
SI5339C-C01-GM - Fabricantes:
Energy Micro (Silicon Labs) - Descripción:
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