STD9NM50N-1
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| Número de pieza | STD9NM50N-1 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.441 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STD9NM50N-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 87511 pcs | Ficha de datos | STx9NM50N(-1) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I-PAK | Serie | MDmesh™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.7A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 70W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 50V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
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