STD60N55F3
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| Número de pieza | STD60N55F3 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.372 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STD60N55F3 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 84237 pcs | Ficha de datos | STx60N55F3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DPAK | Serie | STripFET™ III |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 32A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | 497-7972-2 STD60N55F3-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 45nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V | Descripción detallada | N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
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