STD4NK80Z-1
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| Número de pieza | STD4NK80Z-1 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.71 | $0.572 | $0.515 | $0.40 | $0.332 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STD4NK80Z-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 57940 pcs | Ficha de datos | ST(D,P)4NK80Z(-1,FP) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I-PAK | Serie | SuperMESH™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 80W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres | 497-12560-5 STD4NK80Z-1-ND STD4NK80Z1 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V | Descripción detallada | N-Channel 800V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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