STB10LN80K5
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| Número de pieza | STB10LN80K5 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.56 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STB10LN80K5 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 59375 pcs | Ficha de datos | Power Mgmt Guide BrochureSTB10LN80K5 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D2PAK | Serie | MDmesh™ K5 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 630 mOhm @ 4A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 427pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V | Descripción detallada | N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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