SCT10N120
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| Número de pieza | SCT10N120 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.535 | $4.169 | $3.521 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SCT10N120 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 9481 pcs | Ficha de datos | Power Mgmt Guide BrochureFine Tune SIC MOSFET Gate DriverSCT10N120 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo | HiP247™ | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 20V | La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Otros nombres | 497-16597-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 400V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 20V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V | Descripción detallada | N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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