IRF830
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| Número de pieza | IRF830 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.166 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRF830 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 132738 pcs | Ficha de datos | IRF830 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | Serie | PowerMESH™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 100W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | 497-2732-5 | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V | Descripción detallada | N-Channel 500V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
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