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IRF820

IRF820
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Número de pieza IRF820
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 111970 pcs
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Número de pieza IRF820 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 111970 pcs Ficha de datos IRF820
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB Serie PowerMESH™ II
RDS (Max) @Id, Vgs 3 Ohm @ 1.5A, 10V La disipación de energía (máximo) 80W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres 497-2733-5 Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500V Descripción detallada N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)

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