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BYW4200B-TR

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Número de pieza BYW4200B-TR
Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 124896 pcs
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Número de pieza BYW4200B-TR Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 124896 pcs Ficha de datos SMBYW04-200, BYW4200B
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.25V @ 12A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 200V Paquete del dispositivo DPAK
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 200V 4A Surface Mount DPAK Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) 4A Capacitancia Vr, F -

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