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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > XN0431200L

XN0431200L

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Número de pieza XN0431200L
Fabricante Panasonic
Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 3969 pcs
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Número de pieza XN0431200L Fabricante Panasonic
Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 3969 pcs Ficha de datos XN04312
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo MINI6-G1 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 22 kOhms Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potencia - Max 300mW embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Otros nombres XN0431200LCT
XN4312CT
XN4312CT-ND
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 150MHz, 80MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

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