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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > UP04878G0L

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Número de pieza UP04878G0L
Fabricante Panasonic
Descripción MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 4465 pcs
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Número de pieza UP04878G0L Fabricante Panasonic
Descripción MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4465 pcs Ficha de datos UP04878 Datasheet
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 1µA
Paquete del dispositivo SSMini6-F2 Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 4V Potencia - Max 125mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres UP04878G0LTR Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50V
Descripción detallada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F2 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100mA

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