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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR911TG0L

UNR911TG0L

UNR911TG0L
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Número de pieza UNR911TG0L
Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 5714 pcs
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Número de pieza UNR911TG0L Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5714 pcs Ficha de datos UNR911xG Series
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SSMini3-F3 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potencia - Max 125mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-89, SOT-490 Otros nombres UNR911TG0LTR
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 80MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

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