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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR5214G0L

UNR5214G0L

UNR5214G0L
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Número de pieza UNR5214G0L
Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 817366 pcs
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Número de pieza UNR5214G0L Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 817366 pcs Ficha de datos UNR521xG Series
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SMini3-F2 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 150mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-85 Otros nombres UNR5214G0LTR
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 150MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

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