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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR32A0G0L

UNR32A0G0L

UNR32A0G0L
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Número de pieza UNR32A0G0L
Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 746991 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs250 pcs
$0.177$0.124$0.101$0.081$0.059
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Número de pieza UNR32A0G0L Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 746991 pcs Ficha de datos UNR32A0G
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SSSMini3-F1 Serie -
Resistor - Base (R1) 47 kOhms Potencia - Max 100mW
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta SOT-723
Otros nombres UNR32A0G0LCT Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 150MHz Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 80mA

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