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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR31A1G0L

UNR31A1G0L

UNR31A1G0L
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Número de pieza UNR31A1G0L
Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 820077 pcs
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Número de pieza UNR31A1G0L Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 820077 pcs Ficha de datos UNR31A1G
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SSSMini3-F1 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 100mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-723 Otros nombres UNR31A1G0LTR
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 80MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 80MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 80mA

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