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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DRA2152Z0L

DRA2152Z0L

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Número de pieza DRA2152Z0L
Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1271588 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs30000 pcs75000 pcs
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Número de pieza DRA2152Z0L Fabricante Panasonic
Descripción TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1271588 pcs Ficha de datos DRA2152Z0L
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo Mini3-G3-B Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 5.1 kOhms Resistor - Base (R1) 510 Ohms
Potencia - Max 200mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Otros nombres DRA2152Z0L-ND
DRA2152Z0LTR
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 11 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base DRA2152

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