PSMN2R0-30YLDX
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| Número de pieza | PSMN2R0-30YLDX |
|---|---|
| Fabricante | Nexperia |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.16 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | PSMN2R0-30YLDX | Fabricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 145838 pcs | Ficha de datos | PSMN2R0-30YLD |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | LFPAK56, Power-SO8 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2 mOhm @ 25A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 142W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Otros nombres | 1727-2218-2 568-12472-2 568-12472-2-ND 934067964115 PSMN2R0-30YLD,115 PSMN2R0-30YLDX-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2969pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 46nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 100A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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