PMXB360ENEAZ
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| Número de pieza | PMXB360ENEAZ |
|---|---|
| Fabricante | Nexperia USA Inc. |
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.079 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | PMXB360ENEAZ | Fabricante | Nexperia USA Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 254008 pcs | Ficha de datos | PMXB360ENEA |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 130pF @ 40V |
| Tensión - Desglose | DFN1010D-3 | VGS (th) (Max) @Id | 450 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | - |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.1A (Ta) |
| Polarización | 3-XDFN Exposed Pad | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 13 Weeks | Número de pieza del fabricante | PMXB360ENEAZ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4.5nC @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.7V @ 250µA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80V | relación de capacidades | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
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