PMGD280UN,115
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| Número de pieza | PMGD280UN,115 |
|---|---|
| Fabricante | Nexperia |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.04 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | PMGD280UN,115 | Fabricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 569758 pcs | Ficha de datos | PMGD280UN |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 6-TSSOP | Serie | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 340 mOhm @ 200mA, 4.5V | Potencia - Max | 400mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | 1727-3125-2 568-2365-2 568-2365-2-ND 934057726115 PMGD280UN T/R PMGD280UN115 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 870mA 400mW Surface Mount 6-TSSOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 870mA |
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