PMEG3010AESBZ
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| Número de pieza | PMEG3010AESBZ |
|---|---|
| Fabricante | Nexperia |
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 9000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.022 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | PMEG3010AESBZ | Fabricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1169384 pcs | Ficha de datos | PMEG3010AESB |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 480mV @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 30V | Paquete del dispositivo | DSN1006-2 |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 3.5ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 2-XDFN | Otros nombres | 934068753314 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 150°C (Max) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Schottky | Descripción detallada | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount DSN1006-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.25mA @ 30V | Corriente - rectificada media (Io) | 1A |
| Capacitancia Vr, F | 32pF @ 10V, 1MHz |
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