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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTD114ETVL

PDTD114ETVL

PDTD114ETVL
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Número de pieza PDTD114ETVL
Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 0.425W
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1187864 pcs
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Número de pieza PDTD114ETVL Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 0.425W Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1187864 pcs Ficha de datos PDTD1zzzT Series
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo TO-236AB (SOT23) Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 320mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Otros nombres 934031040235
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 225MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 320mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 500mA

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