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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTA123JTVL

PDTA123JTVL

PDTA123JTVL
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Número de pieza PDTA123JTVL
Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 2848713 pcs
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Número de pieza PDTA123JTVL Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 2848713 pcs Ficha de datos PDTA123JU T/R
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo TO-236AB (SOT23) Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potencia - Max 250mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Otros nombres 934055395235
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA Número de pieza base PDTA123

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