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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > PBSS5260QAZ

PBSS5260QAZ

PBSS5260QAZ
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Número de pieza PBSS5260QAZ
Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 590875 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza PBSS5260QAZ Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 590875 pcs Ficha de datos PBSS5260QA
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A Tipo de transistor PNP
Paquete del dispositivo DFN1010D-3 Serie -
Potencia - Max 325mW embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta 3-XDFN Exposed Pad Otros nombres 1727-1468-1
1727-1468-1-ND
1727-2386-1
568-10939-1
568-10939-1-ND
568-12685-1
568-12685-1-ND
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 150MHz
Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1.7A 150MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 1.7A, 2V
Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO) Corriente - colector (Ic) (Max) 1.7A

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