MX2N5116
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| Número de pieza | MX2N5116 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | N CHANNEL JFET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | MX2N5116 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | N CHANNEL JFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4607 pcs | Ficha de datos | 2N5114-16, Mx2N5114-16 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id | 4V @ 1nA |
| Tensión - Breakdown (V (BR) GSS) | 30V | Paquete del dispositivo | TO-18 |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500 | Resistencia - RDS (on) | 175 Ohms |
| Potencia - Max | 500mW | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
| Tipo FET | P-Channel | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 | Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
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