JANTXV2N6800
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| Número de pieza | JANTXV2N6800 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | JANTXV2N6800 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5912 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-205AF (TO-39) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 3A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | TO-205AF Metal Can |
| Otros nombres | JANTXV2N6800-MIL | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 34.75nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 400V |
| Descripción detallada | N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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