JANTXV2N3636L
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| Número de pieza | JANTXV2N3636L |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | TRANS PNP 175V 1A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JANTXV2N3636L | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS PNP 175V 1A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4948 pcs | Ficha de datos | 2N3634-37(L,UB) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - Colector-emisor (máx) | 175V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA | Tipo de transistor | PNP |
| Paquete del dispositivo | TO-5 | Serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Potencia - Max | 1W | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Otros nombres | 1086-20885 1086-20885-MIL |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frecuencia - Transición | - | Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V | Corriente - corte del colector (Max) | 10µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 1A |
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