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JANTXV1N6630

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Número de pieza JANTXV1N6630
Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 3517 pcs
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Número de pieza JANTXV1N6630 Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 3517 pcs Ficha de datos 1N6626-31
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.4V @ 1.4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 900V Paquete del dispositivo E-PAK
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/590
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns embalaje Bulk
Paquete / Cubierta E, Axial Otros nombres 1086-19992
1086-19992-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 150°C Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 900V 1.4A Through Hole E-PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr 2µA @ 900V Corriente - rectificada media (Io) 1.4A
Capacitancia Vr, F -

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