JANTXV1N6622US
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| Número de pieza | JANTXV1N6622US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JANTXV1N6622US | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5190 pcs | Ficha de datos | 1N6620-25US |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.4V @ 1.2A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 660V | Paquete del dispositivo | D-5A |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SQ-MELF, A | Otros nombres | 1086-3025 1086-3025-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 500nA @ 660V | Corriente - rectificada media (Io) | 1.2A |
| Capacitancia Vr, F | - |
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