JANTXV1N6076
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| Número de pieza | JANTXV1N6076 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.087 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JANTXV1N6076 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 3595 pcs | Ficha de datos | 1N6073-81 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.76V @ 18.8A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50V | Paquete del dispositivo | E-PAK |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/503 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | E, Axial | Otros nombres | 1086-19452 1086-19452-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 155°C | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1µA @ 50V | Corriente - rectificada media (Io) | 1.3A |
| Capacitancia Vr, F | - |
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