JANTX2N6766T1
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| Número de pieza | JANTX2N6766T1 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH TO-254AA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JANTX2N6766T1 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH TO-254AA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5457 pcs | Ficha de datos | 2N6764,66,68,70T1 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-254AA | Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Otros nombres | JANTX2N6766T1-MIL | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
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