JANTX1N6661US
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| Número de pieza | JANTX1N6661US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JANTX1N6661US | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5891 pcs | Ficha de datos | 1N6663US thru 1N6663US |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 500mA | Tensión - Desglose | D-5A |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/587 | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | SQ-MELF, A | Otros nombres | 1086-16021 1086-16021-MIL |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | JANTX1N6661US | Descripción ampliada | Diode Standard 225V 500mA Surface Mount D-5A |
| configuración de diodo | 50nA @ 225V | Descripción | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1V @ 400mA | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 225V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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