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JANTX1N5802US

JANTX1N5802US
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Número de pieza JANTX1N5802US
Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 7543 pcs
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Número de pieza JANTX1N5802US Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 50V 1A D5A Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 7543 pcs Ficha de datos 1N5802, 04US, 06US and URS
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 875mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 50V Paquete del dispositivo D-5A
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/477
Tiempo de recuperación inversa (trr) 25ns embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SQ-MELF, A Otros nombres 1086-2476
1086-2476-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 175°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 50V 1A Surface Mount D-5A Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) 1A Capacitancia Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz

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