JANTX1N5552US

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Número de pieza	JANTX1N5552US
Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 5A B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme

~~In Stock~~ 6967 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	100 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$5.598

Parámetro del producto
Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	JANTX1N5552US	Fabricante	Microsemi
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 5A B-MELF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	6967 pcs	Ficha de datos	1N5550US thru 1N5554US
Categoría	Productos semiconductores discretos	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 9A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V	Paquete del dispositivo	B, SQ-MELF
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Serie	Military, MIL-PRF-19500/420
Tiempo de recuperación inversa (trr)	2µs	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SQ-MELF, B	Otros nombres	1086-15414 1086-15414-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 600V 5A Surface Mount B, SQ-MELF	Corriente - Fuga inversa a Vr	1µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)	5A	Capacitancia Vr, F	-

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